为什么原来说7nm是半导体工艺的极限，但现在又被突破了？
首先要说的是半导体的极限是有条件的，在某种条件下，7nm是半导体工艺的极限，如果要想做得更小，就必须在什么地方上进行改进。之所以会突破7nm的极限原因在于FinFET技术的运用。
代工厂可能存在虚假宣传：当然业内人士都知道，虽然目前三星、台积电、英特尔都已做到10nm的工艺，然而他们的工艺参数上是有很大区别的，说得不客气点，现在某些厂家的工艺可能只能算14nm，而厂商的宣传却是10nm或者是更小的工艺。如果工艺得到进一步的改进，可能在技术上只到了10nm的工艺，而厂商可能就会宣传它是7nm的工艺了。
当然代工厂是否存在虚假宣传现在还不太好说，因为制程工艺是多少每个代工厂的计算方式会有所区别。不管怎样，由于FinFET技术的运用，现在在理论上已经很容易突破7nm的极限（量产还要考虑到成品率以及成本因素），很多快我们将能看到7nm的产品，再过几年5nm、3nm的产品也将出现，至于会不会出现更小的制程可能还得在材料上有所突破才能实现。
先前，媒体曾报导，7nm制程工艺最逼近硅基半导体工艺的物理极限。后来，媒体又报导，7nm工艺并非半导体工艺的极限，后面还依次有5nm工艺、3nm工艺，且5nm工艺、3nm工艺并没有突破硅材料半导体工艺的极限。极限本来是一个数学术语，广义的极限指的是“无限靠近且永远不能到达”的意思。于是，既然7nm工艺后还依次有5nm工艺、3nm工艺，那么，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在又被突破了”，更准确的说法该是，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在却又出现了5nm工艺，3nm工艺呢”。
芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。
（注释：Source为源极，Drain为漏极，Gate为栅极。）
据业内人士分析，“台积电的3nm制程，很可能才是在摩尔定律下最后的工艺节点，并且台积电的3nm工艺会是关键的转折点，以衔接1nm工艺及1nm之下的次纳米新材料工艺”。前不久，台积电的创始人兼董事长张忠谋也表示，摩尔定律在半导体行业中起码还可存续10年，这其中就包括5nm工艺、3nm工艺，而台积电会不会研发，以及能否研发出2nm工艺，则需要再等几年才能确定。
最后要说的是，即便硅基芯片终有一天非常非常地接近物理极限，人们还可以寻找到其他如采用新材料等技术路径来驱动计算性能持续提升。
7nm 以下需要超级紫光EVU蚀刻，
1.根据波粒二象性，光波也是粒子有大小的，一旦孔隙只能通过单个光子的时候就会发生衍射现象，就是说粒子会一分为二，到时候蚀刻出来的板子就是两套不同排列组合的叠影😂
2.就像学校学的小孔成像一样，一旦那个孔缝比光波还窄的话你还怎么通过怎么去蚀刻？哎呀编不下去了！别打我
3.光子隧穿，当工艺达到1nm的时候，由于栅格板(挡光子用的)太薄容易发生击穿效应。好比过滤用的膜失效了，东西全漏下去了。感觉自己越说越乱了咧大家还是去看专家的解释吧！
现在的技术不是在不断发展，芯片的制造会越来越精致精细。芯片的制程在不断地缩小，这就说明芯片的面积在不断地变小。现在又要把CPU的面积做大，不是在增加成本，又再走回原来的路。所以不可能把CPU在做大。
1. CPU是可以制定尺寸的，成本的高低是重要的因素。
首先必须举个例子来说明，加入有一个一定大小的晶圆，用22nm的工艺切出来的芯片肯定少于用16nm工艺切出来的芯片数量。这就说明了芯片的面积越小，晶圆的利用率就在增大，那么制作芯片的成本就在降低。还有晶圆的雕饰是属于很精密的技术，那么出来的合格的数量越多，那么也会降低成本，小芯片也因此避开了瑕疵这一问题。
2. 成本原因是一方面，但是影响芯片大小的还有功耗问题。
现在假设把CPU做大，那么就以为这里面要塞更多的芯片，而且现在的芯片越来越小，那么安装的芯片就会更多，那么每个芯片都是有功耗的，也就是说，这样会造成功耗直线飙升。这样还要考虑散热问题，如果没有完善的散热装置，那么随着电脑的厚度增加，死机问题会严重，还有电源该如何满足这样的大能耗。
3. 芯片是可以做大的，大的芯片也是存在的，但是没有这个必要。
像最新的ryzen，这个CPU就有手掌那么大，性能却是会比较高，但是现在已经属于CPU性能过剩了，所以就没有这个必要了。还有过大一定会造成核心之间的矛盾，高速缓存和核心之间产生了延迟性，降低了CPU原本该有的性能。而且不考虑把电脑变大，也就是说现在的电脑主机就那么大，主板也会只有那么大，CPU造大了，如何设计主板位置安放呢，电路的设计怎么办呢？
现在技术都在进步，更好的支撑和晶体管技术必将会带来更优秀更精致的CPU。
我觉得应该从三方面讲，一个是材料工艺，一个是加工工艺。材料方面，随着尺寸越来越小，半导体绝缘层变得越来越薄，随时有被电子击穿的危险，越来越不稳定，良品率也会越来越低，除非有新的材料应用，不然现在的工艺会很快就会走到尽头。另一方面，半导体是一种光刻工艺，当尺寸变得越来越小，光波干扰越来越严重，曝光难度也在成几何增长，现在一般采用多次曝光，而要提高清晰度，就要控制波长，当波长越来越短，能量却越来越高，空气都会阻挡光的能量，而这还需要配合透镜，有可能光经过透镜，能量就消耗大半了。可以说成本难度都在增加。第三方面，就是光量子计算机，这和硅计算机是有不同的，计算能力大爆炸，而硅计算机成本在越来越高，量子计算机成本却在下降，而要控制成本，新工艺的步子就要慢些，就要多用现成工艺多赚些钱。所以也就不难看出，半导体企业不断渲染新工艺多么不经济，而性能有多么好，无非就是要提高加工费用
突破极限原型杰西戈斯后来咋样了？
杰西戈斯基近况 未知。
《突破极限》电影原型人物是波兰的铁人三项世界冠军戈尔斯基。他从四年的瘾君子，到世界冠军，这之间需要强大的意志和信念。戈尔斯基的人生经历，给与了这部电影灵感，让世人看到一位被称之为社会毒瘤的人，凭着坚持，努力，逆袭人生。
挑战自我、突破极限的的意思？
意思不一样。突破自我，挑战极限。大意为你原来不敢面对或者不能做到的事，你做到了。挑战了你的极限（如对某种你所恐惧的事物产生的压抑感觉）。而突破极限，挑战自我。这个极限可以是外界的也可以是自己的，比如一个身体较弱的人登上了一座从未有人成功登上的险峰，那么他就既突破自己的极限，也突破了外界极限了。
同时，对一个身体较弱的人来说，这件事就是挑战自我了。无论成功与否，他都挑战了自我。
怎么才能突破自己的极限？
要突破自我极限，先要知道自己的极限在哪。这一点很多人都不知道因为他们没有胆量去尝试！
要突破自我极限，先要知道自己认为什么是做不到的。这一点你很多人也不知道以为他们会自大！
要突破自我极限，先要知道自己可以做到什么事，这一点也有很多人不知道因为他们不够自信！ 所以要突破自我极限首先要自信，谦虚和胆量。当然有一份好的计划也是必不可少的！ 祝你成功！！！！
运动突破极限到底好还是不好？
运动突破极限最多一个星期安排一次，这样不但可以保证一个运动员对自身的考评，而且不会影响运动员自身的安全，突破极限是指让运动员到身体的极限毫无保留去完成训练目标，在平时的训练中可以尝试自我突破，但是需要量力而行，最好有人辅助
文章分享结束，极限突破的答案你都知道了吗？欢迎再次光临本站哦！了解更多关于极限突破的信息可以在站内搜索。
